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晶体谐振器与晶体振荡器的区别

1，晶体振荡器的厚度总是高于晶体谐振器。因为晶体振荡器内部直接置入起振芯片，无需外部元器件帮助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶体振荡器可以依靠自身起振，因此在电子行业归类为主动元器件，而晶体谐振器需要依靠外部电容电阻起振，称之为被动元器件。

3，晶体振荡器种类复杂繁多，可分为以下几种：普通振荡器（SPXO）；温补振荡器（TCXO）；压控振荡器（VCXO），压控温补振荡器（VC-TCXO）；恒温振荡器（OCXO）。而晶体谐振器只有一种，就是自身。

4，晶体振荡器的精度高于晶体谐振器，因此两者论性能稳定度，莫属晶体振荡器出众。晶体振荡器中的温补振荡器较高精度可达到0.5ppm，晶体谐振器较高精度只能做到5ppm，且为DIP封装，SMD封装较高精度仅仅只有10PPM。

5，无疑，晶体振荡器的成本高于晶体谐振器。

其次，晶体与晶振弄混会导致哪些误会。从上文的分析中我们可以得出结论，被动与主动的焊接电路是完全不同的，因晶体振荡器无需外接电容，晶体谐振器需外接电容电阻，如若两者混淆采购，电路将无法正常起振。

并联型晶体振荡器电路振荡过程

接通电源后，三极管VT导通，有变化Ic电流流过VT，它包含着微弱的0～∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路，选频电路从中选出f0信号，在X1、C1、C2两端有f0信号电压，取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大，放大后输出信号又加到选频电路，C1、C2两端的信号电压增大，C2两端的电压又送到VT基-射极，如此反复进行，VT输出的信号越来越大，而VT放大电路的放大倍数逐渐减小，当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时，输出信号幅度保持稳定，不会再增大，该信号再送到其他的电路。

晶体振荡器的结构

晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件。它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下的薄片(在它的两个对应面上涂敷银层作为电极)，还有IC芯片以及相应的电阻电容和微小线路板组成的振荡电路，再加上封装外壳就构成了晶体振荡器，一般简称为晶振。其产品大多用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

不同的工程使用，对晶体振荡器频率的技术性能要求不同。有的要求频率短期稳定度高；有的要求简单好用；有的要求长期稳定性高；有的要求开机后短时间内能稳定工作；有的要求能抗很强的冲击与振动等等。