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晶体谐振器的主要技术指标介绍
标称频率:振荡器输出的中心频率或频率的
频率准确度:振荡器输出频率在室温(25℃±2℃)下相对于标称频率的偏差。
调整频差:在特定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。
负载谐振频率(fL):在规定条件下,晶体与一负载电容相串联或相并联,其组合阻抗呈现为电阻性时(产生谐振)的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时,负载谐振频率是两个频率中较低的一个,在并联负载电容时,七专级压控振荡器价格,则是两个频率中较高的一个。
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压控振荡器优点
低相位噪声:高频低抖动的LVDS输出压控晶振,抖动小于0.6ps(12K~20M)。高频率输出:CMOS可达到245MHz, LVDS高频率为2.1GHz, HCSL高可到700MHz。经常会结合PLL锁相电路实现超高频,如图1所示。小尺寸: VCXO尺寸为2.5x2.0mm, CMOS输出,工作电压1.8~5.0V,压控振荡器价格, 频率范围为4.0~50MHz.低功耗: 电压可选1.8V。
压控振荡器的作用
1、当锁相环处于锁定状态时,七专级压控振荡器价格,控制电压使得压控振荡器的频率正好等于输入信号频率的平均值。
2、根据调功器电路输出电压的频率改变电振器回路的控制电流,进而改变电振料斗的振荡幅度,并根据定时、定量实现自动配料。
3、根据微机控制电压的大小改变调功器电路输出电压的频率;
4、下超调下超调指电压调整器或控制器在应对负荷变化时,电压或频率低
于额定的量。
5、文章分析了变频振荡器、电压比较器、迟滞比较器、使能控制电路和驱动电路等子电路模块以及整体电路的基本工作原理和参数设计。
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