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并联型晶体振荡器电路振荡过程
接通电源后,三极管VT导通,有变化Ic电流流过VT,它包含着微弱的0~∞各种频率的信号。这些信号加到C1、C2、X1构成的选频电路,选频电路从中选出f0信号,在X1、C1、C2两端有f0信号电压,取C2两端的f0信号电压反馈到VT的基-射极之间进行放大,放大后输出信号又加到选频电路,C1、C2两端的信号电压增大,C2两端的电压又送到VT基-射极,如此反复进行,VT输出的信号越来越大,而VT放大电路的放大倍数逐渐减小,当放大电路的放大倍数与反馈电路的衰减系数相等时,输出信号幅度保持稳定,不会再增大,该信号再送到其他的电路。
晶体振荡器的结构
晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制成的一种谐振器件。它的基本构成大致是:从一块石英晶体上按一定方位角切下的薄片(在它的两个对应面上涂敷银层作为电极),还有IC芯片以及相应的电阻电容和微小线路板组成的振荡电路,方波输出晶振,再加上封装外壳就构成了晶体振荡器,一般简称为晶振。其产品大多用金属外壳封装,方波输出晶振加工,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
不同的工程使用,对晶体振荡器频率的技术性能要求不同。有的要求频率短期稳定度高;有的要求简单好用;有的要求长期稳定性高;有的要求开机后短时间内能稳定工作;有的要求能抗很强的冲击与振动等等。
晶体振荡器技术指标
(1)总频差:在规定的时间内,由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的频差;
(2)频率温度稳定度:在标称电源和负载下,方波输出晶振单价,工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的允许频偏;
(3)频率稳定预热时间:以晶体振荡器稳定输出频率为基准,从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间;
(4)频率老化率:在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关系;
(5)频率压控范围:将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压,晶体振荡器频率的小峰值改变量;
(6)压控频率响应范围:当调制频率时,峰值频偏与调制频率之间的关系;
(7)频率压控线性:与理想(直线)函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度,它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度;
(8)单边带相位噪声:偏离载波f处,一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。有的技术人员帮助您选型,欢迎您前来咨询!
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