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温补振荡器的温度范围

温度补偿晶体振荡器，其包括:底座;设置于底座上的焊盘;设置于底座上的温补芯片，温补芯片的引脚与焊盘电连接;设置于底座上的石英振子;及焊接于底座的顶部的金属盖板，用于封盖温补芯片和石英振子.本发明中温补晶体振荡器解决了传统温补晶振中无法满足在55℃～+85℃宽温度范围频率稳定度≤±1ppm的问题，通过优化产品的结构和调试方法，实现晶体振荡器在55℃～+85℃宽温度范围频率稳定度≤±1ppm的指标，通过小型化和集成化的设计，实现了产品的SMD5032外形尺寸.

温补振荡器频率的调节

温补振荡器，其采用模拟数字结合工艺，温补有源晶振加工，利用集成的二极管温度计测量环境温度，利用已知的晶振频率和温度的关系来调节晶振频率.在频率调节上采用数字减波法.在大大降低电路复杂程度同时，准确的补偿了频率的误差和温度漂移，温补有源晶振报价，频率稳定性达到了传统模拟TCXO的水平.通过低次泛音振荡一倍频方法实现的高频温度补偿晶体振荡器，分解解决了高频补振荡器设计中的若干关键性问题，文中以128.466MHz为例，给出了温度晶振的实验结果.

晶体振荡器频率控制方法

振荡器可通过直接牵引频率或使用高分辨率锁相环调整频率来实现频率控制。直接牵引频率的 VCXO用调整变容二极管电压来改变谐振电路电容，温补有源晶振，而直接牵引频率的DCXO通过可编程开关切换不同的谐振电容。使用石英晶体谐振器的VCXO直接牵引频 率调整可以保持低相位噪声，但牵引范围被限制在约±200ppm。当系统应用需要更宽的频率牵引范围和与晶体振荡器相近的低噪声特性时，用户更倾向于选择 基于锁相环的MEMS控制振荡器架构，因为它们可以提供高达±1600ppm的牵引范围。